Litografia per semiconduttori e MEMS
Maschere e substrati per litografia
Possiamo offrire:
Substrati senza pattern
→ per calibrazione, test di processo, R&D
Substrati con pattern personalizzati
→ maschere custom, prototipazione avanzata
Micro lavorazioni personalizzate sulle maschere
→ micro drilling, micro engraving…
Substrati senza pattern
Offriamo maschere senza pattern per litografia.
I materiali standard disponibili sono:
– Quarzo
– Soda-lime
– Schott B270i
Le dimensioni a catalogo coprono un’ampia gamma, tra cui:
2.5″ × 2.5″, 3″ × 3″, 4″ × 4″, 5″ × 5″, 6″ × 6″, 7″ × 7″, 8″ × 8″, 9″ × 9″, e altre.
Il resist coating standard è photoresist positivo AZ1518, con spessore nominale di 530 nm.
Questo prodotto può essere personalizzato in termini di:
– materiale
– dimensioni
– tipo di resist
– spessore del coating
Contattateci per maggiori informazioni o per una configurazione su misura.
Substrati con pattern personalizzati
Le fotomaschere in cromo su vetro sono progettate per il trasferimento di pattern ad alta precisione, garantendo elevata accuratezza, definizione netta dei bordi ed eccellente stabilità dimensionale.
Realizzate su substrati ottici di quarzo o vetro soda-lime, queste maschere presentano uno strato di cromo depositato per sputtering, successivamente patternato mediante processi fotolitografici, al fine di ottenere tolleranze critiche sulle geometrie.
Con risoluzioni fino a 1 µm o inferiori, trovano applicazione nella litografia per semiconduttori, microfluidica, fabbricazione MEMS e ottica diffrattiva.
La qualità superficiale, la rugosità dei bordi di linea (LER) e l’uniformità delle dimensioni critiche sono rigorosamente controllate per assicurare prestazioni costanti e affidabili.
Sono disponibili diversi spessori di substrato e rivestimenti a diversa riflettività, per adattarsi alle specifiche esigenze applicative.
Contattateci per maggiori informazioni o per una configurazione su misura.
Micro lavorazioni personalizzate sulle maschere
Possiamo proporre sulle fotomaschere microlavorazioni laser personalizzate, quali:
– microforatura (fino a 1 micron di diametro)
– microtaglio
– strutturazione superficiale
– ablazione di film sottili
– microincisione
– microfresatura
– marcatura non convenzionale
Possiamo inoltre processare materiali industriali quali metalli, ceramiche, polimeri, vetro e semiconduttori (silicio e altri).
Contattateci per maggiori informazioni o per una configurazione su misura.
Resist per e-beam e fotolitografia
Siamo rivenditori in Italia dei prodotti della
Tra i loro prodotti potete selezionare:
Negative Tone Electron Beam Resists
HSQ Resist
EM Resist fornisce il resist HSQ sia in forma liquida sia in polvere. Si tratta di un resist a tono negativo per litografia a fascio di elettroni ad alta risoluzione, con eccellenti proprietà di incisione (etch).
È facilmente solubile in solventi organici non polari come il metil isobutilchetone (MIBK), il metil silossano e il toluene per la fabbricazione di film sottili. A seconda dello spessore del film, è possibile ottenere pattern densi con half-pitch inferiori a 10 nm.
La nuova formulazione ha dimostrato un’eccellente rugosità del bordo di linea (line edge roughness) e un’ottima stabilità. Può inoltre essere utilizzata per scopi di planarizzazione, in modo simile a FOx.
Contattateci per maggiori informazioni o per una configurazione su misura.
Positive Tone Electron Beam Resists
PMMA & Copolymer Resists
Il resist PMMA è lo standard industriale tra i resist a tono positivo per litografia a fascio di elettroni, ampiamente utilizzato sia in ambito accademico sia industriale per la realizzazione di strutture ad alta risoluzione e per applicazioni di lift-off.
Può essere impiegato anche in processi di nanoimprint lithography e in altre attività di fabbricazione e R&D, come ad esempio il trasferimento di flakes di grafene.
I resist copolimerici P(MMA-MAA) possono essere utilizzati in combinazione con il PMMA per applicazioni bilayer, come la realizzazione di T-gate. In alternativa, il P(MMA-MAA) può essere usato anche da solo come resist a tono positivo ad alta sensibilità.
Sono disponibili i seguenti PMMA:
PMMA-950K, PMMA-495K, PMMA-120K, PMMA-35K
SML Resists
Il resist SML ad alte prestazioni per litografia ebeam è un polimero innovativo, sviluppato appositamente per soddisfare le esigenze degli utenti EBL. Consente la realizzazione simultanea di strutture ad altissima risoluzione, anche a basse tensioni di accelerazione e senza la necessità di correzione degli effetti di prossimità.
Il resist SML è stato progettato per integrarsi perfettamente nei processi standard basati su PMMA, senza richiedere modifiche alla chimica né formazione aggiuntiva sul processo.
Sono diponibili i seguenti SML Resist:
SML50: 40nm – 100nm
SML100: 90nm – 210nm
SML300: 250nm – 600nm
SML600: 575nm – 1300nm
SML1000: 990nm – 2000nm
SML2000: 1800nm – 5000nm
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