Silicon (Si) Wafer

Il silicio (Si) è ampiamente utilizzato nei semiconduttori, transistor ad alta potenza, celle solari…
Offriamo wafer di silicio di lavorazione Prime, Test e Dummy. I metodi di crescita dei wafer in silicio sono: CZ, MCZ E FZ con lucidatura single side polished (SSP) o double side polished (DSP). Potete scegliere l’orientation dei wafer tra: <100>,<110>, <111>.
I diametri disponibili sono: 2,54cm (1″), 5,08cm (2″), 7,62cm (3″), 10,16cm (4″), 12,7cm (5″), 15,24cm (6″), 23,32 (8″)… Offriamo anche substrati di diverse dimensioni, come ad esempio: 10x10cm, 15x15cm, 20x15cm, 20x20cm….
Le caratteristiche qui elencate sono a titolo esemplificativo e completamente customizzabili su vostra richiesta

Specifiche Tecniche
Materiale	Silicio (Si)
Metodo di Crescita	CZ, MCZ, FZ
Drogaggio	Undoped, B-doped, P-doped
Grade	Prime, Test, Dummy
Tipo	P/N, P, N
Polished	SSP, DSP
Orientation	<100>,<110>, <111>
Dimensione	Diametro: 2,54cm (1″), 5,08cm (2″), 7,62cm (3″), 10,16cm (4″), 12,7cm (5″), 15,24cm (6″), 23,32 (8″) Dimensioni dei substrati: 10x10cm, 15x15cm, 20x15cm, 20x20cm Dimensioni personalizzabili su richiesta
Spessore	0.3, 0.5mm, 1.0mm. Spessori personalizzabili su richiesta

Thermal Oxide Silicon Wafers

Lo strato di ossido di silicio (Si + SiO2) o di biossido di silicio viene fatto crescere sui wafer di silicio ad alte temperature (900°C/1200°C) utilizzando il metodo di crescita “Wet” o “Dry“.
Questo permette di avere uno strato dielettrico che garantisce un isolamento con maggiore uniformità e maggiore rigidità dielettrica.
Per la maggior parte dei dispositivi a base di silicio, lo strato di ossido di silicio è un materiale importante per passivare la superficie del silicio.
Abbiamo a disposizione wafer di ossido di silicio da 2,54cm (1″) a 30cm (12″) di diametro. Lo strato di ossido di silicio è di altissima qualità e privo di difetti.
Per prodotti personalizzati non esitate a contattarci.

Specifiche Tecniche
Materiale	Si+SiO2
Metodo di Crescita	Wet, Dry
Drogaggio	Undoped, B-doped, P-doped
Tipo	P/N, P, N
Polished	SSP, DSP
Orientation	<100>,<110>, <111>
Spessore SiO2	300 - 500nm. Spessori personalizzabili su richiesta
Dimensione	Diametro: 2.54cm (1″), 5.08cm (2″), 7.62cm (3″), 10.16cm (4″), 12.7cm (5″), 15.24cm (6″), 23.32 (8″) Dimensioni dei substrati: 10x10mm, 15x15mm, 20x15mm, 20x20mm Dimensioni personalizzabili su richiesta
Spessore	0.3mm, 0.5mm, 1.0mm Spessori personalizzabili su richiesta

Germanium (Ge) Wafer

Il Germanio (Ge) ha molte proprietà: buona stabilità chimica, forte resistenza alla corrosione, facilità di lavorazione, trasmissione elevata e uniforme, alto indice di rifrazione, elevata resistenza alle radiazioni, alta frequenza e buone prestazioni fotoelettriche. I wafer di Germanio possono essere utilizzati per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori, nell’ottica a infrarossi e per le celle solari.
Anche per questa tipologia di prodotto possiamo fornire wafer altamente personalizzati per soddisfare tutte le vostre esigenze.

Specifiche Tecniche
Materiale	Germanio (Ge)
Metodo di Crescita	CZ
Drogaggio	Undoped, Sb-doped, In/Ga doped
Tipo	N, P
Polished	SSP, DSP
Orientation	<100>,<110>, <111>
Dimensione	Diametro: 2.54cm (1″), 5.08cm (2″) Dimensioni dei substrati: 10x3mm, 10x5mm, 10x10mm, 15x15mm, 20x 15mm, 20x 20mm Dimensioni personalizzabili su richiesta
Spessore	0.33mm, 0.43mm, 0.5mm, 1.0mm Spessori personalizzabili su richiesta

Indium Arsenide (InAs) Wafer

Il cristallo di Arseniuro di Indio (InAs) può essere utilizzato come substrato per la crescita di wafer di InAsSb e InAsPSb utilizzabili come dispositivi di emissione di luce a infrarossi.
Il wafer di Arseniuro di Indio viene utilizzato per il rilevamento di gas e nella comunicazione in fibra ottica a bassa dispersione. Inoltre, il cristallo InAs è il materiale ideale per fabbricare dispositivi ad effetto Hall grazie alla sua elevata mobilità elettronica.

Specifiche Tecniche
Materiale	Arseniuro di Indio (InAs)
Metodo di Crescita	LEC
Drogaggio	Undoped, Sn-doped, S doped, Zn doped
Tipo	N, P
Polished	SSP, DSP
Orientation	<100>, <111>
Dimensione	Diametro: 5.08 cm (2″), 7.62cm (3″), 10.16cm (4″) Dimensioni personalizzabili su richiesta
Spessore	500um, 600um, 800um (±25um) Spessori personalizzabili su richiesta

Gallium Antimonide (GaSb) Wafer

L’Antimonio di Gallio (GaSb) è il materiale chiave per i rivelatori a infrarossi a onde medio-lunghe non raffreddati e gli array del piano focale. Questo wafer è quindi ampiamente usato nella produzione dei laser, nei sensori e nei rivelatori a infrarossi e nelle celle termiche fotovoltaiche.

Specifiche Tecniche
Materiale	Antimonio di Gallio (GaSb)
Metodo di Crescita	LEC, VGF, VBG
Drogaggio	Undoped, Te-doped, Zn-doped
Tipo	P, N
Polished	SSP, DSP
Orientation	<100>, <111>
Dimensione	Diametro: 5.08cm (2″), 7.62cm (3″) Dimensioni dei substrati: 10x10mm, 10x5 mm Dimensioni personalizzabili su richiesta
Spessore	500um, 600um, 800um (±25um). Spessori personalizzabili su richiesta

Indium Phosphide (InP) Wafer

Il Fosfuro di Indio (InP) è un importante materiale semiconduttore composto, che presenta i seguenti vantaggi: elevata velocità di deriva del limite elettronico, buona resistenza alle radiazioni e buona conduttività termica.
I wafer di InP sono adatti per la produzione di dispositivi a microonde ad alta frequenza, alta velocità, alta potenza e circuiti integrati. Sono quindi ampiamente utilizzati nei LED, nella comunicazione a microonde e in fibra ottica, nelle celle solari, nei satelliti…

Specifiche Tecniche
Materiale	Fosfuro di Indio (InP)
Metodo di Crescita	LEC,VCZ/P-LEC , VGF, VB
Drogaggio	Undoped, S-doped, Zn-doped, Fe-doped
Tipo	P, N
Polished	SSP, DSP
Orientation	<100>, <111>
Dimensione	Diametro: 5.08cm (2″), 7.62cm (3″), 10.16cm (4″) Dimensioni dei substrati: 10x10mm, 10x5mm Dimensioni personalizzabili su richiesta
Spessore	0.35 mm, 0.6 mm Spessori personalizzabili su richiesta